HiPIMS，低溫ITO沉積的機會！

6種靶材HiPIMS放電大不相同，設計工藝要知道!

HiPIMS放電，由于工作在放電曲線的特殊區域，其放電特性不僅依賴于使用的氣壓、電壓，更依賴于靶材。更由于HiPIMS工作模式是脈沖工作，其放電特性具有時間特征，而表現出不同的放電特性。這里我們選用常用的幾種靶材（Cu，Cr，Mo，Ti，V和C），給出了他們的放電特性。這種與時間相關的放電特性，對于工藝設計是非常重要的。

高引燃脈沖新HiPIMS模式下薄膜摩擦系數可降低到0.25

多層薄膜能顯著改善復雜環境下部件的性能和壽命，為獲得性能良好的膜層，研發團隊提出了一種高引燃脈沖新HiPIMS放電技術。增加引燃脈沖的個數，強化了膜層的結合力，硬度以及摩擦磨損的性能。

新HiPIMS放電模式制備薄膜表面粗糙度僅為4.123nm

為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術特征，我們在研究中提出一種新型的HiPIMS放電模式，即電-磁場協同增強HiPIMS技術，該技術以外置電場和磁場雙場協同增強常規HiPIMS放電，增加濺射粒子離化率，改善薄膜的的沉積速率，制備的膜層性能優異。

雙脈沖HiPIMS比傳統HiPIMS沉積速率提高近3倍

一種新型的高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術，即放電由脈寬短、電壓高的引燃脈沖和脈寬長、電壓低的工作脈沖2部分組成的雙脈沖高功率脈沖磁控濺射技術，目的是解決傳統高功率脈沖磁控濺射沉積速率低的問題。

真空電源從“Nokia”到“Iphone”

2023中國真空鍍膜行業發展趨勢高峰論壇圓滿落下帷幕

脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射技術可以有效的抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列顯著優點。