High Power Impulse Magnetron Sputtering（HiPIMS）是高功率脈沖磁控濺射技術，最早由1999年瑞典Kouznetsov等開發采用功率脈沖作為磁控濺射的供電模式，在保持相同平均功率，通過縮短脈沖電源的脈沖時間到30-300us，同時控制脈沖頻率在100-1000Hz，使得瞬間峰值功率增加三個數量級（如下圖所示），從而產生超高密度（1018至1019 m-3）等離子體，比傳統DCMS和MFMS等離子體密度（1014至1015 m-3）提升3到4數量級。

HiPIMS技術原理：